En outre, les matériaux polymères peuvent présenter un module élastique plus faible que celui des métaux, ce qui contribue à limiter les contraintes thermomécaniques.Les techniques basées sur un dépôt sérigraphique de colle conductrice, telles que celle décrite par le document L'invention vise à remédier aux inconvénients précités de l'art antérieur.Un objet de l'invention, permettant d'atteindre ce but, est un procédé d'interconnexion par retournement d'un composant électronique sur un substrat, caractérisé en ce qu'il comporte la réalisation d'au moins un plot d'interconnexion par gravure d'une couche épaisse conductrice et son collage, au moyen d'au moins une colle conductrice, entre un plot ou plage d'accueil dudit composant et un plot ou plage d'accueil dudit substrat.Le composant électronique peut être une puce nue ou encapsulée, un capteur, un circuit hybride, un circuit intégré, etc.En particulier, le composant électronique peut être une puce. Nucl. 778-784, avril 2008Procédé d'interconnexion par retournement d'un composant électronique CentralCharts est un réseau social et un portail d'informations sur les marchés financiers destiné aux traders et investisseurs.Détecter un retournement de tendance est très utile en trading. Après ouverture du moule, on peut prélever une membrane ou couche épaisse conductrice CE, qui sera utilisée pour fabriquer des plots d'interconnexion.Le choix de la résine époxydique utilisée pour la réalisation de la couche épaisse CE dépend de l'application envisagée. Par rapport aux techniques d'interconnexion par fils (« wire bonding » en anglais), le retournement de puce permet une miniaturisation poussée des circuits électroniques et une réduction des inductances parasites. Selon différents modes de réalisation du procédé de l'invention : plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related theretoStructure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting processStructure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connectorSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FORIndexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FORIndexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00Details of semiconductor or other solid state devices to be connectedPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTSIndexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit boardDetails of electrical connections of non-printed components, e.g. L'invention porte sur un procédé d'interconnexion par retournement d'un composant électronique sur un substrat.L'interconnexion par retournement, ou à puce retournée (« flip chip » en anglais), est une technique d'interconnexion très utilisée en électronique. (A) la fabrication d'une couche épaisse conductrice ;(C) la gravure de ladite couche épaisse, collée audit substrat temporaire, pour former un motif d'interconnexion comprenant au moins un plot d'interconnexion ;(D) le collage, au moyen d'une colle conductrice, dudit ou de chaque plot d'interconnexion à un plot ou plage d'accueil respectif d'un substrat ou d'un composant électronique ;(E) le décollement dudit ou de chaque plot d'interconnexion dudit substrat temporaire ; et(F) le collage, au moyen d'une colle conductrice, dudit ou de chaque plot d'interconnexion à un plot ou plage d'accueil respectif d'un substrat ou d'un composant électronique à interconnecter audit composant électronique ou audit substrat, respectivement.Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ledit composant électronique est une puce.Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ledit ou chaque plot d'interconnexion est réalisé par gravure laser de ladite couche épaisse.Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite couche épaisse présente une épaisseur supérieure ou égale à 100 µm.Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ledit ou au moins un dit plot d'interconnexion présente une hauteur au moins égale à la moitié de la plus petite de ses dimensions latérales.Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant une étape de durcissement de ladite ou au moins une dite couche mince de colle conductrice à une température inférieure ou égale à 40°C.Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite couche épaisse est constituée par ladite ou une dite couche mince de colle conductrice utilisée pour son collage, à l'état durci.Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite ou au moins une dite couche mince de colle conductrice est une résine époxydique contenant une charge conductrice.Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite ou chaque couche mince de colle conductrice est déposée par sérigraphie.Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ni ladite ou chaque dite couche mince de colle conductrice, ni ladite couche épaisse conductrice, ne contiennent du plomb.Procédé d'interconnexion par retournement d'un composant électronique
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